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4.1 Aufbau und Grundfunktion
Der Transistor ist ein Halbleiter-Bauelement
mit drei Anschlüssen, das überwiegend als Stromverstärker
eingesetzt wird. Wie eine Diode besteht der Transistor aus N- und P-dotiertem
Halbleitermaterial. Aber man verwendet hier drei Schichten mit zwei
dazwischenliegenden Sperrschichten. Die Schichtenfolge kann NPN oder PNP
sein. Hier soll zunächst der NPN-Transistor betrachtet werden. Grundschaltungen des NPN-Transistors |
Schichten und Ersatzschaltbild aus zwei Dioden
Die einzelnen Schichten des Transistors bezeichnet
man als Emitter (E), Basis (B) und Kollektor (C). Wichtig ist, dass die
Basisschicht sehr dünn ist. Der Transistor soll zunächst mit
freiem Basisanschluss an eine Stromquelle gelegt werden, wobei der Emitter
mit dem Minuspol verbunden sein soll. Es fließt kein Strom, weil
die Basis-Kollektor-Diode in Sperrichtung liegt. |
Transistor mit offener Basis
Nun soll eine zweite Stromquelle zwischen Basis und
Emitter angeschlossen werden, wobei der Pluspol an der Basis liegt und
die Spannung mit etwa 0,6 V so gering ist, dass nur ein kleiner Strom durch
die Basis-Emitter-Diode fließt. Dabei kann man einen wesentlich größeren
Strom beobachten, der vom Kollektor zum Emitter fließt. Die Erklärung
dafür findet sich in der sehr dünnen Basisschicht. Treten nämlich
N-Ladungsträger in die Basis ein, gelangen sie sofort in das starke
elektrische Feld der Basis-Kollektor-Sperrschicht. Die meisten der Ladungsträger
werden zum Kollektor hin abgesaugt. Nur etwa ein Prozent der Ladungsträger,
die vom Emitter ausgehen, gelangen zum Basisanschluss. Umgekehrt ist also
der Kollektorstrom etwa 100 mal größer als der Basisstrom. Der
Kollektorstrom wird über die Basis-Emitter-Spannung bzw. über
den Basisstrom gesteuert. |
Das Sperrschichtmodell der Verstärkung
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